SK海力士宣布，已成功完成面向AI的超高性能存儲(chǔ)器新產(chǎn)品HBM4的開發(fā)，并在全球首次構(gòu)建了量產(chǎn)體系。SK海力士將按客戶日程及時(shí)供應(yīng)業(yè)界最高性能HBM4，以鞏固競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

HBM4屬于第六代HBM產(chǎn)品，英偉達(dá)將是SK海力士的首個(gè)客戶，用于明年的Rubin架構(gòu)數(shù)據(jù)中心GPU上。其采用了較前一代產(chǎn)品翻倍的2048條數(shù)據(jù)傳輸通道，將帶寬擴(kuò)大一倍，同時(shí)能效也提升40%以上，從而實(shí)現(xiàn)了全球最高水平的數(shù)據(jù)處理速度和能效。同時(shí)SK海力士還實(shí)現(xiàn)了高達(dá)10Gbps以上的運(yùn)行速度，大幅超越JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的8Gbps。

SK海力士沿用了在HBM3E獲得認(rèn)可的MR-MUF工藝，從而在現(xiàn)有12層堆疊上達(dá)到了最大36GB容量。該工藝不但能控制芯片的翹曲現(xiàn)象，還有效提升了散熱性能，由此最大程度地提高了產(chǎn)品的穩(wěn)定性。此外，SK海力士還采用了成熟的1β (b) nm（第五代10nm級(jí)別）工藝來制造HBM4所需要的DRAM芯片，最大程度地降低了量產(chǎn)過程中的風(fēng)險(xiǎn)。

SK海力士預(yù)計(jì)，將新產(chǎn)品引入客戶系統(tǒng)后，AI服務(wù)性能最高可提升69%，不僅能從根本上解決數(shù)據(jù)瓶頸問題，還能顯著降低數(shù)據(jù)中心電力成本。SK海力士表示，HBM4的開發(fā)完成將成為業(yè)界新的里程碑，再次彰顯了自身在面向AI的存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，并公告了競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。